Düşük Basınç Kimyasal Buhar Biriktirme Sistemi (LPCVD), gaz türlerinin yonga veya katı yüzey üzerinde etkileştikleri diğer Kimyasal Buhar Biriktirme Sistemleri ile benzerdir. LPCVD prosesi tüp fırına eşmerkezli bir şekilde yerleştirilen kuvars tüpe sahiptir. LPCVD, homojen kalınlık ve saflık, kolay kullanım, büyütülen tabakaların homojen olması ve yüksek üretilebilirlik gibi avantajlara sahiptir.

Yüksek sıcaklık CVD sistemi olan "CVD-handy tube" serisi ile grafen, karbon nanotüp ve nanoteller (ZnO, GeO) başarılı bir şekilde biriktirilebilmektedir.

  • En Düşük Basınç ≈ 10-6 Torr
  • Kuvars Tüp çapı Maks. 130 mm
  • Maks. Sıcaklık 1100o
  • Sürekli Çalışma Sıcaklığı 1050oC
  • Isıtma Bölgesi Uzunluğı 250 mm
  • Sıcaklık Kontrol Sistemi PID Yöntemiyle
  • Soğutma Kaydırma Mekanizmasıyla Hızlı Soğutma
  • Kontrol Tam otomatik (Yarı otomatik opsiyoneldir)
  • Farklı Gaz Türleri için Kütle Akış Kontrolcüsü Sayısı  Maks. 12
  • Yükleme Kuvars tüpün bir ucundan

 

BROŞÜRÜ İNDİR

Talep edilirse, CVD-handy tube sistemimiz Indüktif Eşleşmiş Plazma (ICP) ile birleştirilebilir.